收藏本站
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN
160
140
T J = 25 ° C
10 V
7.0 V
6.5 V
160
140
V DS w 10 V
120
120
100
80
6.0 V
100
80
60
40
20
5.4 V
5.0 V
60
40
20
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
V GS = 4.4 V
4
5
0
2
3
4
5
6
7
8
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.035
I D = 76 A
T J = 25 ° C
0.030
0.025
V GS = 10 V
T J = 175 ° C
0.025
0.020
0.015
T J = 125 ° C
0.015
0.010
0.005
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.005
5
6
7
8
9
10
0.000
10
20
30
40
50
60
70
80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Region versus Drain Current and
Gate Voltage
2.5
2
1.5
V GS = 10 V
I D = 76 A
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1000
1
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drian ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTB6411ANG MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
NTB6413ANG MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
NTB85N03T4G MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK
NTBV5605T4G MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
NTC-04-0002 GU 7000 SERIES POWER CABLE
NTCDS3SG104GC4NB THERMISTOR NTC GLASS 100KOHM AXL
NTCG104LH104HT1 THERMISTOR NTC 100K OHM 3% 0402
NTD110N02RT4 MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
相关代理商/技术参数
NTB6410ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6411AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 mΩ
NTB6411ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 72A 14MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6411ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412AN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mΩ
NTB6412AN_12 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET
NTB6412ANG 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB6412ANT4G 功能描述:MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube